讲座题目：器件小型化极限后的摩尔定律 主讲人：王曦 教授 主持人：张桂戌 教授 开始时间：2022-07-14 14:00:00 讲座地址：腾讯会议 167807980 主办单位：通信与电子工程学院、集成电路科学与工程学院
报告人简介： 王曦教授先后在香港中文大学获得电子学学士学位，在香港大学获得电机及电子工程学博士学位。曾任香港城市大学电子工程学系教授，东京工业大学客座教授，浙江大学信息与电子工程学院讲座教授。 王博士在2002至2003年期间担任国际电机及电子工程师学会（IEEE）电子器件和固态电路香港联合会（ED/SSC）的创会主席。王博士多年来积极参与众多专业学会活动，经常担任国际会议筹委会会员、技术委员会的主席和成员等，并牵头组织举办了多个国际和本地学术会议，是IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits 的创会主席。王博士在1999-2018年间担任国际性刊物《微电子学可靠性，Microelectronics Reliability》(Elsevier出版) 编辑，2002-2009年期间担任IEEE电子器件分会会讯（IEEE EDS Newsletter）的编辑，2015年起担任IEEE Transactions on Electron Devices的副编辑和Solid-State Electronics（Elsevier）编委，2002年起担任IEEE电子器件分会的杰出讲者至今。此外还曾担任多份国际期刊的客座编辑,包括IEEE Transactions on Nanotechnology(2016)，Vacuum（2016, Elsevier）, Nanomaterials (2021, MDPI)等国际性刊物，编辑出版了多期特刊。 王博士的主要研究方向是金属氧化物半导体（MOS）器件的特性分析和建模、热电子效应、介质薄膜、集成电路工艺特性分析和建模、CMOS集成电路设计、固态传感器及硅光子学。到目前为止，他撰写或合著了4本学术专著，发表了400多篇论文和多项发明专利；其中期刊论文超过200篇(包括许多综述性论文)。他也经常担任国际性学术会议的特邀讲者，发表了60多个主旨/特邀报告。王博士的研究成果被广泛引用，多篇论文荣登期刊的前十下载榜/引用榜。位列全球顶尖2%最高被引用学者榜。王博士的学术研究和在专业学会中的贡献得到了许多肯定和嘉许。
报告内容： 可以预期，通过缩短栅长度、半间距、或折叠沟道宽度来缩小CMOS 器件尺寸的进程将在数代后结束，然而，通过采用如三维堆叠或新结构的时间压缩效应等新技术，摩尔定律将可继续延长至少十年以上。同时，超越摩尔定律（More-than-Moore）在应用、系统架构、算法、网络技术等领域的重大进步，将使普通数字设备具备更强大的算力，甚至于可具备超算能力。这使得一个普普通通的数字设备，实际上可拥有更庞大的等效晶体管数。因此，摩尔定律将不再依赖于更小尺寸的晶体管或更高密度的单个芯片，它将由 More-than-Moore的新领域提供革命性的新动力。讲者将就这些未来CMOS技术的发展，提出一些个人的看法。 |
